1. 配体阿恩 (h) C (h) 的合成, 其中 Ar = p-(轨) c₆H₄ (图 5)²

1. 结合6.0 克 (0.050 摩尔) 的p-甲醚和4.2 毫升 (0.025 摩尔) 的 triethylorthoformate 在一个100毫升圆底烧瓶与磁搅拌棒。
2. 将蒸馏头连接到反应瓶。
3. 与搅动, 加热反应在油浴到回流 (120 ° c)。一旦达到回流, 副产品乙醇应开始从反应中提取。在蒸馏头末端的烧杯中收集乙醇。
4. 加热反应, 直到乙醇的蒸馏停止 (至少1.5 小时)。
5. 将烧瓶从油浴中取出, 使反应混合物冷却至室温。沉淀应形成。如果产品不沉淀, 将烧瓶放在冰浴中, 用刮刀将瓶子底部划伤, 以鼓励结晶。
6. 结晶的产品从最少量的沸腾甲苯 (对于一个更详细的程序, 请回顾 "再结晶净化化合物" 在有机化学精要系列的视频)。
7. 通过熔漏斗过滤收集产品, 并用10毫升的 hexanes 洗涤。
8. 隔离白色产品, 使其在空气中干燥。
9. 使用 CDCl₃收集固体的¹H 核磁共振。

图 5。合成的阿恩 (h) C (h), 其中 Ar = p-MeOC₆H₄。

2. Schlenk 线的设置

注: 有关更详细的程序, 请查看 "Schlenk 线转移溶剂" 视频在有机化学精要系列。在进行这项试验之前, 应审查 Schlenk 线的安全。玻璃器皿应在使用前检查是否有星裂缝。如果使用液态 N₂, 则应注意确保 O₂在 Schlenk 线陷印中不凝结。在液体 N₂温度下, O₂在有机溶剂存在下凝结并呈爆炸性。如果怀疑 O₂已被压缩, 或在冷阱中观察到蓝色液体, 则在动态真空下使陷井处于冷状态。请不要删除液体 N₂陷阱或关闭真空泵。随着时间的推移, 液体 O₂将升华为泵;只有当所有的 O₂具有升华时, 才可以安全地删除₂陷印。

1. 关闭压力释放阀。
2. 打开 N₂气体和真空泵。
3. 当 Schlenk 线真空达到它的极小的压力时, 准备冷的陷井与液体 N₂或干冰或丙酮。
4. 装配冷阱。

3. 钼₂(ArNC (H)) 的合成₄ (图 6)²

注意: 钼源在合成 mo₂(ArNC (H)) 中的使用,₄是钼 (CO)₆, 这是剧毒的,如果吸入、通过皮肤吸收或吞食, 可能是致命的。CO 是在反应过程中产生的。因此, 合成必须在通风良好的遮光罩进行。

1. 使用标准的 Schlenk 线技术合成 Mo₂(ArNC (H))₄ (参见 "使用 Schlenk 线技术合成的钛 (III) 金属" 视频)。
2. 增加0.34 克 (1.3 摩尔) 钼 (CO)₆和1.0 克 (3.9 摩尔) 的阿恩 (h) C (h), 以100毫升 Schlenk 烧瓶, 并准备 Schlenk 瓶的套管转移溶剂。
3. 通过套管转移将20毫升的脱o-二氯苯添加到 Schlenk 烧瓶中。
4. 将 Schlenk 烧瓶与连接到 N₂气体线的冷凝器配合使用。
5. 回流反应为2ĥ (180 ° c) 在硅油浴。
   注: 钼 (CO)₆是挥发性的, 在反应过程中会在 Schlenk 烧瓶的两侧凝结。为了获得更高的产量, 定期溶解任何升华钼 (CO)₆通过将烧瓶从油浴中拉出, 并在烧瓶中轻轻旋转溶剂。
6. 从油浴中取出 Schlenk 烧瓶, 使混合物冷却到室温。
7. 通过熔漏斗过滤棕色溶液, 用10毫升的 hexanes 洗涤黄色沉淀物, 然后用5毫升的试剂级丙酮清洗。当 O₂存在时, Mo₂(ArNC (H)) 的₄在解决方案中的分解速度很慢。因此, 在从 N₂中删除反应后, 应立即进行过滤。
8. 收集坚实的黄色 Mo₂(ArNC (H))₄并允许其风干。
9. 使用 CDCl₃测量该产品的¹H 核磁共振频谱。

图 6。合成 Mo₂(ArNC (H)) 的₄, 其中 Ar = p-MeOC₆H₄。

4. 单晶生长

注意: Mo₂(ArNC (H)),₄在溶液中慢慢氧化。在使用前应脱晶化溶剂, 但在单晶 x 射线衍射中, 不需要严格的无条件来获得 x 射线质量晶体。

1. 德加10毫升的二氯甲烷 (CH₂Cl₂) 通过冒泡 N₂气体通过解决方案为 10 min (见 "合成一 Ti (III) 茂金属使用 Schlenk 线技术" 视频为一个更详细的程序清洗液体)。
2. 在脱 CH₂Cl₂的 2 mL 中溶解20毫克固体, 使 Mo₂(ArNC (H)) 的饱和溶液为₄ 。
3. 将一小块 Kimwipe 插入吸管, 使吸管硅藻土插头。向吸管中添加少量的硅藻土。
4. 通过吸管硅藻土插头将 CH₂Cl₂解决方案过滤到小5毫升瓶中。帮助推动解决方案通过硅藻土使用吸管灯泡。
5. 使用镊子, 插入5毫升小瓶到10毫升闪烁瓶。
6. 在外部闪烁瓶中, 加入2毫升的 hexanes。
7. 紧紧地盖住闪烁的瓶子, 将它放在一个不受干扰的架子上。
8. 允许至少24小时的单晶生长 (参见 "X 射线晶体学" 在有机化学精要系列中的一个关于如何生长单晶的更详细的过程的视频)。
9. 收集样品上的单晶 x 射线数据 (参见 "单晶和粉末 x 射线衍射" 视频, 以获取有关如何收集 x 射线数据的更详细的程序)。